在半導體制程工藝中，外延是一種單晶生長技術(shù)的CVD。其原理是利用特氣系統(tǒng)中特氣管道和電子特氣柜等特氣設備，將含硅的特種氣體（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）安全穩(wěn)定的輸送到高溫(> 1100℃)的襯底上利用氫（H2）在襯底上通過還原反應析出單晶硅的方法。

外延工藝的優(yōu)點：

①　減少串聯(lián)電阻；

②　可以控制外延層中的雜質(zhì)分布；

③　可以用任意濃度和導電類型的硅襯底上人為的故意地進行摻雜，以滿足器件花樣眾多的要求。

外延設備及所用的氣體:

化學氣相外延生長使用的設備裝置通常稱為外延生長反應爐。一般主要由氣相控制系統(tǒng)、電子控制系統(tǒng)、反應爐主體、排氣系統(tǒng)四部分組成。

在半導體外延工藝中，氣體控制系統(tǒng)指的就是超高純電子特氣系統(tǒng)，以下簡稱特氣系統(tǒng)。特氣系統(tǒng)以耐腐蝕的EP管、氣體泄漏監(jiān)測報警系統(tǒng)、高精度的質(zhì)量流量計以及特氣設備如擁有SEMI S2認證和自動吹掃、自動切換以及緊急情況下的自動安全切斷等功能的電子特氣柜，來保證外延生長工藝中特種氣體的安全穩(wěn)定輸送。

綜上所述，特氣系統(tǒng)中電子特氣柜為半導體外延生長工藝提供安全穩(wěn)定的氣體原材料（如硅烷和二氯二氫硅等），保證生產(chǎn)的安全以及生產(chǎn)率和良品率。最后，感謝您的閱讀！